Der 2N3440 ist ein Hochspannungs-NPN-Transistor in planarer Architektur. Dem Datenblatt nach ist er geeignet für einen Kollektorstrom bis 1A und einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von 250V. Deshalb ist er gut geeignet für hohe Spannungen und hohe Leistungen.
Unter der Metall-Kappe finden wir den eigentlich Transistor eingeklebt. Der Kollektoranschluss ist dabei das Gehäuse selbst, Basis und Emitter sind über Pins und Draht von oben angebonded.
Auf dem Die selbst ist die Emitterfläche innen liegend und passenderweise als „E“ geformt. Umgeben wird der Emitter von der Basis.
Planar-Transistor:
Der Transistor ist vom Aufbau schematisch rechts dargestellt. Der Kollektor ist jedoch von unten kontaktiert. In das Kollektor-Substrat ist ein P-Bereich eingebracht, welcher mit der Basis kontaktiert ist. In dem P-Bereich ist der Emitter mit N-Halbleiter eingefügt.
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Eine Antwort zu „2N3440-NPN-Transitor“
[…] Gegensatz zum 2N3440 ist der Die hier scheinbar aufgelötet und nicht […]