Nachdem es im ersten Versuch im Decappen eines Chips noch nicht so gut funktioniert hat, versuche ich es erneut: diesmal mit einer höheren Temperatur und mehr Zeit.
Als zu Decappender Chip, bzw. um das richtige Temperaturprofil zum Zersetzen des Kunststoffes herauszufinden, habe ich einen Infineon Mosfet hergenommen. Er hat vor dem Brennen ein Gewicht von 332mg.
Das Brennen:
Wie bereits im ersten Versuch wurde der IC zunächst mit einer Temperatur von 180 Grad für 60 Minuten getrocknet. Danach wurde dieser zunächst mit 450 Grad für 30 Minuten und dann mit 400 Grad für 60 Minuten „gebacken“. Ziel war es, den Kunststoff möglichst durchgehend zu degenerieren. Nach dem Brennen hat er ein Gewicht von 322mg, also hat er fast 10mg im Ofen verloren. Der Chip sah danach wie folgt aus:
Der Kunststoff schaut auf jeden Fall degeneriert bzw. bräunlich verfärbt aus. Auf der Rückseite sieht es so aus, als wäre etwas Metall/Lot geschmolzen und aus dem Package ausgelaufen.
Den Die befreien:
Der Kunststoff war weich genug, sodass dieser leicht entfernt werden konnte, jedoch aufgrund des besonderen Aufbaues Rissen mit zwei Anschlüssen vom Die ab und auch die obere Schicht. Der Befreite Die auf seinem Metallstück hat ein Gewicht von 137mg.
unter dem Mikroskop:
Ein Blick unter dem Mikroskop bestätigt das: zu sehen ist nur ein Reststück Silizium.
